В ходе визита Дмитрий Владимирович Афанасьев посетил ключевые научные подразделения вуза и провел совещание по вопросам трансформации образовательного процесса в ЛЭТИ в соответствии с новой моделью.
08.04.2026 4
3 апреля Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» с рабочим визитом посетил заместитель Министра науки и высшего образования России Дмитрий Владимирович Афанасьев. Цель визита – обсуждение стратегических планов по развитию ключевых научно-технологических подразделений университета, а также вопросов трансформации образовательного процесса в вузе.
Экскурсию по лабораториям университета провел ректор СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Николаевич Шелудько. Руководители научных групп ЛЭТИ представили свои разработки, реализуемые в том числе совместно с промышленными партнерами университета.
«Одной из ключевых целей визита Дмитрия Владимировича стало обсуждение реальных практик перехода ведущих технических университетов на новую модель высшего образования. ЛЭТИ, участвуя в таких мега проектах развития как ПИШ и «Приоритет-2030», реализуемых Минобрнауки, представил результаты своих наработок в области технологического лидерства и подготовки передовых инженерных кадров».
Первым пунктом визита стало посещение Передовой инженерной школы «Электроника и электротехника» (ПИШ ЛЭТИ). Дмитрий Владимирович побывал в семи новых специальных образовательных пространствах, оснащенных современным оборудованием для полного цикла инженерных разработок в сфере карбид-кремниевой электроники, силовых преобразователей, средств промышленной автоматизации, цифрового моделирования, контроллеров, применяемых на объектах критической инфраструктуры, а также устройств для систем телекоммуникаций. Презентацию лабораторий провел проректор – директор ПИШ ЛЭТИ Виктор Борисович Бессонов.
Заместитель Министра науки и высшего образования также посетил Институт силовой электроники и фотоники, директор которого Алексей Валентинович Афанасьев рассказал о современных технологических подходах и новейших разработках ЛЭТИ в области карбидокремниевой и гибкой печатной электроники. Дмитрию Владимировичу показали сформированную в институте инфраструктуру по производству карбида кремния и созданию на его основе силовых приборов.
Дмитрий Владимирович Афанасьев высоко оценил уровень развития технологий в университете и порекомендовал научным группам совместно с предприятиями индустриального сектора выстраивать новые производственные цепочки промышленной продукции по ключевым направлениям работы вуза.
«Сегодня ЛЭТИ, которому в этом году исполняется 140 лет, представляет собой активно развивающуюся экосистему. Обновляются лаборатории, в них совместно с предприятиями проводятся исследования в сфере силовой электроники, робототехники и новых типов полупроводниковых материалов. Кроме того, коллеги активно разрабатывают подходы к трансформации процесса обучения в логике новой образовательной модели. Сейчас перед вузом стоит задача запуска широкого пула проектов совместно с партнерами, что позволит в среднесрочной перспективе обеспечить переход от разовых взаимодействий к постоянному взаимовыгодному сотрудничеству».
Также при участии Дмитрия Владимировича состоялось заседание, в рамках которого первый проректор по образовательной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Екатерина Сергеевна Филатова рассказала о трансформации образовательного процесса в ЛЭТИ в русле перехода системы высшего образования на новую модель.