Работа приближает технологическое внедрение МОП-транзистора траншейного типа на основе SiC в современные производства.
31.07.2026 45
Кремниевая электроника приблизилась к пределу своих возможностей, ограничивая развитие многих отраслей промышленности. Перспективный карбид кремния (SiC) устойчив к экстремальным условиям, но требует разработки новых технологий для массового внедрения.
На базе Лаборатории силовой электроники (СОП ЛСЭ) студенты ПИШ ЛЭТИ создали комплекс методик контроля электрических параметров транзистора, соответствующих требованиям действующих стандартов (лёгкость, компактность, быстродействие) и позволит обеспечить сравнение с параметрами серийных силовых МОП-транзисторов аналогичного класса. Методики также ориентированы на определение предельных режимов работы транзистора и оценку его надежности при тепловых и электрических нагрузках.
Работа приближает технологическое внедрение МОП-транзистора траншейного типа на основе SiC в современные производства.