Новое образовательное пространство обеспечит разработки и подготовку высококвалифицированных инженеров в интересах отечественной робототехники, машиностроения, космоса и многих других направлений.
18.02.2026 24
В последние десятилетия электроника (в основном – выполненная на компонентной базе из кремния) приблизилась к пределу своих возможностей по целому ряду ключевых характеристик (лёгкости, компактности, быстродействию и возможности работать в экстремальных условиях, например, в космосе, при высоких перегрузках или в условиях радиации). Преодоление данных ограничений открывает широкие перспективы для развития многих отраслей промышленности: автомобилестроения, двигателестроения, самолетостроения, машиностроения, робототехники, бытовой техники (компьютеры, планшеты, беспилотники, медоборудование, мобильные телефоны и прочего). Альтернативой кремнию как материалу электронной компонентной базы (ЭКБ) является карбид кремния (SiC), который способен работать при более высоких температурах и напряжениях без потери электрических свойств.
В целях разработки отечественных электронных компонентов, устройств и систем на основе карбида кремния, а также подготовки высококвалифицированных инженеров в этой сфере Передовая инженерная школа «Электроника и электротехника» СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (ПИШ ЛЭТИ) запустила Лабораторию силовой электроники.
«В нашей новой лаборатории будут проводиться исследования, заточенные в первую очередь на компонентную базу из карбида кремния – это перспективные силовые транзисторы, диоды и другие базовые устройства. Кроме того, перед лабораторией стоит глобальная задача по подготовке инженерных кадров высшего класса в сфере силовой и классической микроэлектроники. Наша цель – выпускать специалистов, которые будут иметь комплексное представление об отрасли и ее ключевых трендах, будут понимать потребности предприятий и смогут быстро адаптироваться к решению широкого круга инженерных задач».
Новая лаборатория оснащена современным диагностическим оборудованием для комплексного изучения электронных компонентов и устройств на основе карбида кремния. Ключевыми инструментами для исследований являются характериограф и анализатор вольт-фарадных характеристик с двумя зондовыми станциями. Этот набор инструментов позволяет исследовать основные характеристики полупроводниковых приборов на разных этапах их технологической готовности: как на пластине карбида кремния, так и в корпусе. Для диагностики качества полупроводниковых кристаллов и структур используются специализированные современные микроскопы (поляризационный и люминесцентный), а также цифровой четырёхзондовый тестер. Помимо этого, в лаборатории имеется термокамера, которая позволяет понять, как будут работать приборы на карбиде кремния в экстремальных температурах.
Образовательная зона оснащена мощными компьютерами для моделирования процессов, происходящих в электронных устройствах. На базе лаборатории реализуется магистерская программа «Силовая микроэлектроника» от ПИШ ЛЭТИ. В целом лаборатория может принять группу из 12 студентов. Студенты проводят исследования разработанных перспективных структур силовых транзисторов и диодов на карбиде кремния в рамках своих междисциплинарных проектов. Они осваивают диагностику материалов и готовых приборов, изучают тонкости технологии их производства. Параллельно научные сотрудники университета вместе со студентами и аспирантами могут работать над самыми разными темами – от биосенсорики и перспективных наноматериалов до приборостроения.
«Особенность образовательного трека нашей лаборатории в том, что студенты смогут увидеть всю цепочку разработки: они понимают, как созданный ими силовой транзистор используется в реальном устройстве – например, в контроллере для робота или в преобразователе для электромобиля. Благодаря этому наши выпускники могут быть востребованы не только на производствах микроэлектроники, но и в смежных высокотехнологичных отраслях: робототехнике, автомобилестроении, энергетике».