ПИШ ЛЭТИ открывает образовательную программу по подготовке разработчиков силовой электроники будущего

Сегодня кремний является наиболее распространенным полупроводниковым материалом, который применяется для массового производства электронных приборов. Среди основных причин для его активного использования – широкая доступность (является вторым по распространенности химическим элементом в земной коре после кислорода) и дешевизна, полезные полупроводниковые и оптические свойства, а также высокий уровень технологичности при производстве. Эти факторы обуславливают очень важное значение кремния для электроники.

Однако на сегодняшний день по целому ряду характеристик кремний подошел к пределу своих возможностей. Например, при высоких температурах и радиации (в космосе или на предприятиях атомной отрасли) полупроводниковые свойства кремния деградируют; кроме того, невысокая подвижность электронов в кремнии не позволяет ему успешно конкурировать с новыми материалами в СВЧ-диапазоне, который применяется в телекоммуникационных системах последних поколений. 

Один из наиболее перспективных материалов – карбид кремния. Он характеризуется способностью выдерживать значительно высокие температуры, обеспечивать высокую плотность электрического тока, гораздо лучше обычного кремния справляться с радиацией. Поэтому сегодня мировой рынок электронной продукции на основе карбида кремния (и некоторых других широкозонных полупроводников) динамично и устойчиво развивается. Среди наиболее активных сфер для его внедрения – авиация, космическая техника, системы связи, солнечная энергетика и электротранспорт.

Однако для широкого внедрения карбида кремния в отечественную компонентную базу требуется активизация уже существующего производства и создание новых предприятий. В свою очередь, такие заводы потребуют подготовки большого числа высококвалифицированных кадров, которые обладают теоретическими и практическими знаниями по широкому кругу вопросов – от синтеза SiC до разработки и создания электронных устройств на его основе.

Для решения этой задачи ПИШ ЛЭТИ «Электроника и электротехника» совместно с предприятиями-лидерами отрасли в 2024 году запустили новую магистерскую программу «Силовая микроэлектроника». 

Основу образовательной программы составили такие дисциплины как «Основы технологии широкозонных полупроводников», «Разработка конструкции и технологии элементов силовой микроэлектроники»; «Диагностика материалов и структур силовой микроэлектроники», «Моделирование элементов силовой микроэлектроники», «Системы автоматизированного проектирования для силовой микроэлектроники», «Разработка технологий и технологических маршрутов для силовой микроэлектроники», а также «Испытания и диагностика компонентов силовой микроэлектроники».

«В нашем вузе много лет развивается научное направление по электронике на основе карбида кремния. За эти годы был накоплен уникальный опыт, подготовлен квалифицированный кадровый состав, современная технологическая база, а главное – отработана уникальная производственная цепочка от синтеза материала до создания готовых устройств. На основе этого базиса мы сформулировали уникальный российский образовательный продукт, направленный на комплексную практикоориентированную подготовку специалистов в сфере силовой электроники»

Прием обучающихся проходит в рамках контрольных цифр приема на бюджетной основе. Обучение стартует с сентября 2024 года. Подать документы на поступление можно в личном кабинете абитуриента или в приемной комиссии СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Расписание вступительных испытаний по направлению «Силовая электроника» опубликовано на сайте университета.  

Новая магистерская программа создана в рамках ПИШ «Электроника и электротехника» ЛЭТИ.